シリコンカーバイド（SiC）市場規模、シェア、動向、2030年までの世界予測

世界のシリコンカーバイド（SiC）市場は2025年に38億3,000万米ドル規模となり、年平均成長率（CAGR）25.7%で成長し、2030年には120億3,000万米ドルに達するとMarketsandMarketsでは予測しています。

MarketsandMarkets（マーケッツアンドマーケッツ）「シリコンカーバイド（SiC）市場 – SiCディスクリートデバイス（SiCダイオードおよびSiC MOSFET）、SiCモジュール、電圧範囲（最大1,200 V、低電圧（1,200 V～1,700 V）、中電圧（1,700 V～3,300 V）、高電圧（3,300 V以上））、車載用SiCデバイス – 2030年までの世界予測 – Silicon Carbide (SiC) Market by SiC Discrete Device (SiC Diode and SiC MOSFET), SiC Module, Voltage Range (Up to 1,200 V, Low (1,200 V to 1,700 V), Medium (1,700 V to 3,300 V), High (More than 3,300 V)), Automotive SiC Device – Global Forecast to 2030」はシリコンカーバイド（炭化ケイ素／SiC）の世界市場を調査し、主要セグメント別に分析・予測を行っています。

主な掲載内容

• 市場概観
  • 市場ダイナミクス
  • サプライチェーン分析
  • エコシステム分析
  • 投資と資金調達シナリオ
  • 顧客のビジネスに影響を与える動向／ディスラプション
  • 技術分析
  • 価格分析
  • 主要ステークホルダーと購入基準
  • ファイブフォース分析
  • ケーススタディ分析
  • 貿易分析
  • 法規制環境
  • 主要会議とイベント　2024-2025年
  • 人工知能（AI）と生成AIがシリコンカーバイド市場に与える影響
  • 2025年の米国の関税措置がシリコンカーバイド市場に与える影響
• SiCデバイスの結晶構造
  • 立方晶（3C-SiC/閃亜鉛鉱）
  • 六方晶（4H-SiCおよび6H-SiC）
  • 菱面体晶（15R-SiC）
• SiCの原料タイプ
  • 緑色炭化ケイ素
  • 黒色炭素ケイ素
• 多様なウエハーサイズにおけるシリコンカーバイド市場動向
  • 150MM以上
  • 150MM未満
• デバイス別シリコンカーバイド市場
  • SiCディスクリートデバイス
  • SiCモジュール
• 業種別シリコンカーバイド市場
  • 自動車
    • 電気自動車
    • 充電施設
  • エネルギー＆発電
    • 再生可能エネルギー
    • エネルギー貯蔵システム
  • 工業
    • 鉄道
    • 航空宇宙＆船舶
  • 輸送
  • 電気通信
  • その他の業種
• 電圧範囲別シリコンカーバイド市場
  • 1,200以下
  • 1,200-1,700V
  • 1,701-3,300V
  • 3,300V超
• 地域
  • 北米
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ
  • 欧州
    • 英国
    • ドイツ
    • フランス
    • イタリア
    • スペイン
    • ポーランド
    • 北欧諸国
    • その他の欧州
  • アジア太平洋地域
    • 中国
    • 日本
    • 韓国
    • インド
    • オーストラリア
    • インドネシア
    • マレーシア
    • タイ
    • ベトナム
    • その他のアジア太平洋地域
  • その他の地域（RoW）
    • 中東
      • バーレーン
      • クウェート
      • オマーン
      • カタール
      • サウジアラビア
      • アラブ首長国連邦（UAE）
      • その他の中東
    • アフリカ
      • 南アフリカ
      • その他のアフリカ
    • 南米
• 競合勢力図
  • 主要プレイヤーの戦略／勝つ権利
  • 市場シェア分析　2024年
  • 企業評価と財務マトリクス
  • ブランド／製品比較
  • 主要プレイヤの収益分析　2020-2024年
  • 企業評価マトリクス：主要プレイヤ　2024年
  • 企業評価マトリクス：スタートアップ／中小企業　2024年
  • 競合シナリオと動向
• 企業情報

本レポートでは、以下の点について洞察を提供しています。

• 主要な推進要因（EVにおけるSiCデバイスの導入拡大、パワーエレクトロニクスの需要増加、再生可能エネルギーシステムの需要増加）、制約要因（パワーエレクトロニクスにおける代替技術の高い有効性とSiCデバイスの高コスト）、機会（通信業界におけるSiCデバイスの採用拡大、SiC（炭化ケイ素）基板およびエピタキシープロセスの品質向上の継続）、課題（SiCデバイスにおける材料欠陥、設計・パッケージングの問題、サプライチェーンおよび生産能力の制約）の分析
• 製品開発／イノベーション：シリコンカーバイド（SiC）市場における今後の技術、研究開発活動、新製品発売に関する詳細な洞察。
• 市場開発：様々な地域におけるシリコンカーバイド（SiC）市場を分析することにより、収益性の高い市場に関する包括的な情報を提供します。
• 市場多様化：シリコンカーバイド（SiC）市場における新製品、未開拓地域、最近の開発状況、投資に関する包括的な情報を提供します。
• 競合評価：STマイクロエレクトロニクス（スイス）、Semiconductor Components Industries, LLC（米国）、Infineon Technologies AG（ドイツ）、Wolfspeed, Inc.（米国）、ローム株式会社（日本）など、主要企業の市場シェア、成長戦略、製品提供に関する詳細な評価

Report Description

The global silicon carbide (SiC) market is estimated to be valued at USD 12.03 billion by 2030, up from USD 3.83 billion in 2025, at a CAGR of 25.7%.

The silicon carbide (SiC) market is experiencing robust growth, driven by the increasing deployment of SiC devices in electric vehicles and the rising demand for efficient power electronics across industrial and energy applications. Automakers are adopting SiC MOSFETs and modules for traction inverters, onboard chargers, and fast-charging systems, while renewable energy and grid infrastructure projects are leveraging SiC to achieve higher efficiency and reliability. Advancements in wide-bandgap technologies, wafer scaling, and substrate quality are enhancing performance and lowering system costs, enabling broader adoption. These drivers are collectively accelerating the transition from silicon to SiC in next-generation power systems. At the same time, the market presents strong opportunities in telecommunications, transportation, and industrial automation, where the need for compact, energy-efficient, and high-temperature-resistant devices is growing. Ongoing innovations in materials and packaging, along with the expansion of global production capacity, are fostering greater scalability and enabling SiC to redefine power electronics for a more sustainable future.

Silicon Carbide (SiC) Market – Global Forecast to 2030 – ecosystem

The major players in the silicon carbide (SiC) market with a significant global presence include STMicroelectronics (Switzerland), Semiconductor Components Industries, LLC (US), Infineon Technologies AG (Germany), Wolfspeed, Inc. (US), ROHM Co., Ltd. (Japan), and others.

Research Coverage

The report segments the silicon carbide (SiC) market and forecasts its size by device type, voltage range, vertical, and region. It also provides a comprehensive review of the drivers, restraints, opportunities, and challenges that influence market growth. The report encompasses both qualitative and quantitative aspects of the market.

Reasons to buy the report:

The report will assist market leaders/new entrants in this market by providing information on the approximate revenues for the overall silicon carbide (SiC) market and its related segments. This report will help stakeholders understand the competitive landscape and gain valuable insights to strengthen their market position and develop effective go-to-market strategies. The report also helps stakeholders understand the pulse of the market, providing them with information on key market drivers, restraints, opportunities, and challenges.

The report provides insights into the following pointers:

• Analysis of key drivers (growing deployment of SiC devices in EVs, increasing demand for power electronics, and growing demand for renewable energy systems), restraints (high efficacy of alternative technologies for power electronics and high cost of SiC devices), opportunities (growing adoption of SiC devices in telecommunications industry and ongoing quality enhancements of SiC substrates and epitaxy processes), and challenges (material defects and designing and packaging issues in SiC devices, and supply chain and capacity constraints)
• Product Development/Innovation: Detailed insights on upcoming technologies, research and development activities, and new product launches in the silicon carbide (SiC) market.
• Market Development: Comprehensive information about lucrative markets by analyzing the silicon carbide (SiC) market across varied regions
• Market Diversification: Exhaustive information about new products, untapped geographies, recent developments, and investments in the silicon carbide (SiC) market
• Competitive Assessment: In-depth assessment of market shares, growth strategies, and product offerings of leading players, including STMicroelectronics (Switzerland), Semiconductor Components Industries, LLC (US), Infineon Technologies AG (Germany), Wolfspeed, Inc. (US), and ROHM Co., Ltd. (Japan)